เนื้อหาการบริการ

เทคโนโลยีการทำให้ผอมบางและการบดกลับของเวเฟอร์

การทำให้แผ่นเวเฟอร์บางลงหรือที่เรียกว่าการเจียรด้านหลังเป็นเทคนิคการตัดเฉือนที่มีความแม่นยำซึ่งใช้เพื่อลดความหนาของเวเฟอร์เพื่อให้ตรงตามข้อกำหนดการใช้งานเฉพาะ โดยทั่วไปกระบวนการนี้จะเกี่ยวข้องกับหลายขั้นตอน โดยใช้ล้อเจียรประเภทต่างๆ โดยมีเม็ดทรายที่ละเอียดยิ่งขึ้นเรื่อยๆ แต่ละขั้นตอนได้รับการออกแบบมาเพื่อขจัดความเสียหายของพื้นผิวและใต้พื้นผิวที่เกิดจากขั้นตอนก่อนหน้า พร้อมทั้งปรับปรุงความเรียบของพื้นผิวให้ดียิ่งขึ้น ท้ายที่สุดแล้ว ล้อเจียรละเอียดพิเศษ-จะถูกนำมาใช้เพื่อให้ได้พื้นผิวที่เหมือนกระจก-

เพื่อป้องกันด้านหน้าของแผ่นเวเฟอร์ในระหว่างการประมวลผล โดยทั่วไปจะใช้เทปการเจียรแบบบ่มด้วยรังสียูวี- เทปนี้สามารถลอกออกได้ก่อนส่งมอบให้กับลูกค้า หรือทิ้งไว้เพื่อปกป้องพื้นผิวและป้องกันความเสียหายใดๆ ในระหว่างการขนส่ง

Wafer Thinning Image 5

การวางแผนทางกลเคมี (CMP)

การจัดระนาบเชิงกลทางเคมี (CMP) เป็นกระบวนการที่ใช้การผสมผสานระหว่างการดำเนินการทางกลและทางเคมีเพื่อให้ได้ผิวสำเร็จที่สมบูรณ์แบบ โดยทั่วไป CMP จะดำเนินการในสองขั้นตอน: ขั้นตอนการขัดเริ่มต้นจะขจัดความเสียหายของพื้นผิวและใต้พื้นผิวอย่างทั่วถึงจากขั้นตอนก่อนหน้า ในขณะที่ขั้นตอนการขัดขั้นสุดท้ายจะทำให้พื้นผิวแผ่นเวเฟอร์เรียบเพื่อลดหมอกควัน หลังจากทั้งสองขั้นตอน พื้นผิวเวเฟอร์จะมีความเรียบระดับอะตอม-โดยมีความหยาบลงไปถึงระดับอังสตรอม ซึ่งตรงตามข้อกำหนดที่เข้มงวดของการใช้งานขั้นสูง

Wafer Thinning Image 1

บริการบดและหั่นตามสั่ง

เรานำเสนอบริการบดและหั่นตามต้องการสำหรับเวเฟอร์ที่มีขนาดและวัสดุหลากหลาย รวมถึงซิลิคอน แก้ว ควอตซ์ และแซฟไฟร์ ไม่ว่าจะเป็นการเจียรร่องอะแดปเตอร์ที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางเล็ก- (เวเฟอร์แบบเซาะร่อง) หรือการเจียรเวเฟอร์มาตรฐานและการเจียร เรามีโซลูชันที่แม่นยำและมีประสิทธิภาพซึ่งปรับให้เหมาะกับความต้องการของคุณ

Wafer Thinning Image 2

เทคโนโลยีการประมวลผลด้วยเลเซอร์

เทคโนโลยีการประมวลผลด้วยเลเซอร์ขั้นสูงของเราประกอบด้วยบริการการเขียนลาย การทำเครื่องหมาย และการหั่นลูกเต๋าที่แม่นยำ เทคนิคเหล่านี้ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ทำให้มั่นใจได้ถึงความแม่นยำและประสิทธิภาพสูงตลอดขั้นตอนการประมวลผล

Wafer Thinning Image 3

บริการเคลือบและเคลือบโลหะ

เรานำเสนอเทคโนโลยีการเคลือบและการเคลือบโลหะขั้นสูงที่หลากหลาย รวมถึง:

การสะสมไอทางกายภาพ (PVD)

การสะสมไอสารเคมี (CVD)

การชุบด้วยไฟฟ้าและการระเหย

ออกซิเดชันความร้อนแบบแห้งและเปียก

ออกไซด์อุณหภูมิต่ำ (LTO)

การสะสม TEOS SiO2

LPCVD และ PECVD ไนไตรด์

การสะสมของโพลี-ซิลิคอน

แอปพลิเคชั่นต้านทานแสง

การเคลือบอินเดียมทินออกไซด์ (ITO)

การใช้เทคนิคการแช่ความถี่สูง- ทำให้เราสามารถกำจัดซิลิคอนไดออกไซด์ออกจากด้านหลังของเวเฟอร์ได้อย่างแม่นยำ ในขณะเดียวกันก็ปกป้องพื้นผิวด้านหน้าและรักษาความแม่นยำในการประมวลผลในระดับสูง

Wafer Thinning Image 6