ซับสเตรท
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ซับสเตรตกำลังกลายเป็นสิ่งสำคัญมากขึ้นเรื่อยๆ ในหลายๆ สาขา โดยเฉพาะในอิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้า เนื่องจากมีคุณสมบัติที่เหนือกว่า ซิลิคอนคาร์ไบด์ซึ่งเป็นเซมิคอนดักเตอร์ที่มีแบนด์แก็ปกว้าง มีข้อได้เปรียบเหนือซิลิคอนแบบดั้งเดิมหลายประการ เช่น ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูงขึ้น ทนต่ออุณหภูมิได้มากขึ้น และความน่าเชื่อถือที่เพิ่มขึ้น คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นส่วนประกอบสำคัญในการพัฒนาระบบเทคโนโลยีขั้นสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ซึ่งมักเรียกย่อๆ ว่า SiC เป็นสารประกอบของซิลิคอนและคาร์บอน โดยทำหน้าที่เป็นพื้นฐานในการสร้างอุปกรณ์หรือวงจร ซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นแพลตฟอร์มที่เหมาะสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้า เนื่องจากมีคุณสมบัติทางกายภาพและอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นเอกลักษณ์
- จัดส่งรวดเร็ว
- การรับประกันคุณภาพ
- บริการลูกค้าตลอด 24 ชม.
การแนะนำสินค้า
ข้อมูลบริษัท
Zhonggui Semiconductor ก่อตั้งขึ้นในปี 2009 และเติบโตจากฐานการผลิตใน Yangzhou Zhongding Semiconductor Company จนกลายเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ โดยอาศัยนวัตกรรมทางเทคนิคจาก Nanos Institute ของ Chinese Academy of Sciences เรามีความเชี่ยวชาญด้านการผลิตและความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีของเวเฟอร์ซิลิคอนเซมิคอนดักเตอร์ ความทุ่มเทของเราได้หล่อหลอมให้เกิดทีมงานด้านเทคนิคที่โดดเด่น ซึ่งทำให้เราได้อยู่ในตำแหน่งผู้นำในอุตสาหกรรม
ทำไมถึงเลือกพวกเรา
อุปกรณ์การผลิต
เราดำเนินการโรงงานห้องปลอดเชื้อระดับ 100 ที่มีเครื่องหั่น เครื่องเจียร เครื่องเอียง เครื่องขัดเคมี เครื่องตัด และอื่นๆ อีกมากมาย เรามุ่งมั่นที่จะมอบบริการระดับมืออาชีพและปรับแต่งตามความต้องการให้กับลูกค้าของเรา
ทีมงานมืออาชีพ
เรามีเครือข่ายทั่วโลก โดยจำหน่ายผลิตภัณฑ์ในหลายประเทศ เช่น สหรัฐอเมริกา รัสเซีย สหราชอาณาจักร ฝรั่งเศส และอื่นๆ เรามุ่งมั่นที่จะร่วมมือกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการพัฒนาร่วมกันและสร้างความร่วมมือที่เป็นประโยชน์ต่อทั้งสองฝ่าย
ใบรับรอง
ด้วยอุปกรณ์ที่ทันสมัยและระบบการจัดการคุณภาพ ISO 9001 ที่แข็งแกร่ง เราจึงมั่นใจในโซลูชันคุณภาพสูงที่เหมาะกับลูกค้าของเรา
โรงงานของเรา
Silicore Technologies Ltd. ตั้งอยู่ในเขตอุตสาหกรรมเทียนซานของเมืองหยางโจว เป็นโรงงานจัดหาโดยตรงที่เน้นการส่งมอบผลิตภัณฑ์ที่ใช้ซิลิคอนที่กำหนดเอง
ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) มีความแข็งแรงทนทานและมีขอบเขตการใช้งานกว้างขวาง จึงส่งผลกระทบต่ออุตสาหกรรมต่างๆ อย่างมากเนื่องจากคุณสมบัติที่โดดเด่น
ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) มีความแข็งแรงทนทานและมีขอบเขตการใช้งานกว้างขวาง จึงส่งผลกระทบต่ออุตสาหกรรมต่างๆ อย่างมากเนื่องจากคุณสมบัติที่โดดเด่น
โพลีไทป์ 6H โดดเด่นด้วยคุณสมบัติเชิงกลที่แข็งแกร่ง และมักใช้ในที่ที่มีความทนทานเป็นหลัก
พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ผลิตจากวัสดุบริสุทธิ์ที่ผสมซิลิกอนและคาร์บอนเข้าด้วยกัน กระบวนการผลิตเริ่มต้นด้วยเทคนิคอุณหภูมิสูงที่เรียกว่าการขนส่งไอทางกายภาพ (PVT)
Sic Substrate คืออะไร?
ซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) กำลังมีความสำคัญเพิ่มมากขึ้นในหลายๆ สาขา โดยเฉพาะอย่างยิ่งในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง เนื่องจากมีคุณสมบัติที่เหนือกว่า SiC ซึ่งเป็นเซมิคอนดักเตอร์แบบแบนด์แก็ปกว้าง มีข้อได้เปรียบเหนือซิลิกอนแบบดั้งเดิมหลายประการ เช่น ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่สูงขึ้น ทนทานต่ออุณหภูมิได้มากขึ้น และเชื่อถือได้มากขึ้น คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้ซับสเตรต SiC เป็นส่วนประกอบสำคัญในการพัฒนาระบบเทคโนโลยีขั้นสูง
ซิลิกอนคาร์ไบด์ซึ่งมักเรียกย่อๆ ว่า SiC เป็นสารประกอบของซิลิกอนและคาร์บอน โดยทำหน้าที่เป็นฐานสำหรับการสร้างอุปกรณ์หรือวงจรต่างๆ ซิลิกอนคาร์ไบด์เป็นวัสดุพื้นฐานที่เหมาะสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าเนื่องจากมีคุณสมบัติทางกายภาพและอิเล็กทรอนิกส์เฉพาะตัว
ประโยชน์ของสารตั้งต้น SIC
การนำความร้อนสูง
SiC มีค่าการนำความร้อนสูงกว่าซิลิคอน (Si) ถึง 3-5 เท่า ซึ่งช่วยให้ระบายความร้อนได้เร็วขึ้นและช่วยรักษาอุณหภูมิของอุปกรณ์ให้อยู่ในระดับต่ำ
แรงดันไฟฟ้าพังทลายสูง
แผ่นซับสเตรต SiC มีแรงดันพังทลายสูง ซึ่งทำให้สามารถทนต่อสนามไฟฟ้าแรงสูงได้ ทำให้สามารถพัฒนาอุปกรณ์ที่สามารถทำงานได้ที่แรงดันไฟและกระแสไฟฟ้าสูง ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานที่มีกำลังไฟสูง
ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนสูง
SiC มีความสามารถในการเคลื่อนตัวของอิเล็กตรอนสูงกว่า Si ซึ่งทำให้สามารถพัฒนาอุปกรณ์ที่สามารถทำงานที่ความถี่สูงขึ้นได้ ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญในแอปพลิเคชัน เช่น เครื่องขยายสัญญาณ RF และวงจรสวิตชิ่งความถี่สูง
แบนด์แก๊ปกว้าง
SiC มีแบนด์แก๊ปที่กว้าง ซึ่งช่วยให้สามารถพัฒนาอุปกรณ์ที่สามารถทำงานที่อุณหภูมิสูงขึ้นได้ ซึ่งถือเป็นสิ่งสำคัญในการใช้งานที่อุณหภูมิสูง เช่น อิเล็กทรอนิกส์กำลังและการบินอวกาศ
ลดการสูญเสียพลังงาน
ซับสเตรต SiC มีค่าความต้านทานและการสูญเสียการสลับต่ำกว่าซับสเตรต Si ช่วยลดการสูญเสียพลังงานและเพิ่มประสิทธิภาพในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง
ชนิดของสารตั้งต้น SIC
สารตั้งต้นเซรามิกอะลูมิเนียมไนไตรด์
ระบบหกเหลี่ยม สารประกอบเวิร์ตไซต์ที่มีพันธะโควาเลนต์บนพื้นฐานของหน่วยโครงสร้างเตตระฮีดรัล [AlN4] มีคุณสมบัติการนำความร้อนที่ดี เป็นฉนวนไฟฟ้าที่เชื่อถือได้ มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกและการสูญเสียไดอิเล็กตริกต่ำ ไม่เป็นพิษ และมีค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนเท่ากับซิลิกอน เป็นต้น ด้วยคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยมหลายประการ จึงถือเป็นตัวเลือกในอุดมคติสำหรับสารตั้งต้นเซมิคอนดักเตอร์ที่มีการผสานรวมอย่างสูงรุ่นใหม่และวัสดุบรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
กระบวนการเตรียมผง AlN ซึ่งเป็นวัตถุดิบหลักของเซรามิก AlN มีความซับซ้อน ใช้พลังงานสูง มีวงจรชีวิตยาวนาน และมีราคาแพง ต้นทุนที่สูงจำกัดการใช้งานเซรามิก AlN ในวงกว้าง ดังนั้นพื้นผิวเซรามิก AlN จึงใช้ในอุตสาหกรรมระดับไฮเอนด์เป็นหลัก
ซิลิกอนไนไตรด์พื้นผิวเซรามิก
Si3N4 มีโครงสร้างผลึก 3 แบบ ได้แก่ เฟส เฟส และเฟส โดยเฟสและเฟสเป็นรูปแบบที่พบมากที่สุดของ Si3N4 และทั้งหมดเป็นโครงสร้างหกเหลี่ยม Si3N4 มีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยม เช่น ความแข็งสูง ความแข็งแรงสูง ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนต่ำ การคืบคลานที่อุณหภูมิสูงต่ำ ทนต่อการเกิดออกซิเดชันได้ดี ประสิทธิภาพการกัดกร่อนจากความร้อนดี และค่าสัมประสิทธิ์แรงเสียดทานต่ำ
อย่างไรก็ตาม เซรามิก Si3N4 มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าต่ำ (ค่าคงที่ทางไฟฟ้าคือ 8.3 การสูญเสียทางไฟฟ้าคือ 0.001~0.1) และมีต้นทุนการผลิตสูง ซึ่งจำกัดการใช้งานเป็นพื้นผิวเซรามิกสำหรับบรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
ซิลิกอนคาร์ไบด์พื้นผิวเซรามิก
เซรามิก SiC มีค่าการนำความร้อนสูง โดยค่าการนำความร้อนที่อุณหภูมิสูงอยู่ที่ 100w/(m·k)~400W/(m·k) ซึ่งสูงกว่า Al2O3 ถึง 13 เท่า เซรามิก SiC มีความต้านทานการเกิดออกซิเดชันที่ดี อุณหภูมิการสลายตัวสูงกว่า 2,500 องศา และยังคงสามารถใช้งานได้ในบรรยากาศออกซิไดซ์ที่อุณหภูมิ 1,600 องศา อีกทั้งยังเป็นฉนวนไฟฟ้าที่ดี และค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนต่ำกว่า Al2O3 และ AlN เซรามิก SiC มีคุณสมบัติพันธะโควาเลนต์ที่แข็งแกร่งและไม่เกิดการเผาผนึกได้ง่าย มักเติมโบรอนหรืออะลูมินาในปริมาณเล็กน้อยเพื่อช่วยการเผาผนึกเพื่อเพิ่มความหนาแน่น การทดลองแสดงให้เห็นว่าเบริลเลียม โบรอน อะลูมิเนียม และสารประกอบของสารเหล่านี้เป็นสารเติมแต่งที่มีประสิทธิภาพสูงสุด ซึ่งสามารถทำให้ความหนาแน่นของเซรามิก SiC สูงถึงมากกว่า 98%
เซรามิกพื้นผิวเบริลเลียมออกไซด์
BeO เป็นโครงสร้าง wurtzite หกเหลี่ยมเพียงชนิดเดียวในบรรดาออกไซด์ของโลหะอัลคาไลน์เอิร์ธ เนื่องจาก BeO มีโครงสร้าง wurtzite และพันธะโควาเลนต์ที่แข็งแกร่ง และมวลโมเลกุลสัมพัทธ์ต่ำ จึงมีการนำความร้อนสูง อะลูมินา BeO มีความสามารถในการนำความร้อนที่อุณหภูมิห้องได้ถึง 250W/(m K) และความสามารถในการนำความร้อนสูงกว่าโลหะถึง 10 เท่า ที่อุณหภูมิสูงและความถี่สูง มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ดี ทนความร้อนได้ดี และทนต่อแรงกระแทกได้ดี มีความเสถียรทางเคมีที่ดี
แม้ว่า BeO จะมีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยมบางประการ แต่ข้อเสียร้ายแรงคือผงของมันเป็นพิษมาก การสูดดมฝุ่น BeO เป็นเวลานานอาจทำให้เกิดพิษและอาจเป็นอันตรายถึงชีวิตได้ และยังอาจทำให้เกิดมลพิษต่อสิ่งแวดล้อมซึ่งส่งผลกระทบอย่างมากต่อการผลิตและการใช้งานของพื้นผิวเซรามิก BeO [5] นอกจากนี้ ต้นทุนการผลิต BeO ยังค่อนข้างสูง ซึ่งจำกัดการผลิตและการใช้งาน
สารตั้งต้นเซรามิกโบรอนไนไตรด์
โบรอนไนไตรด์มีรูปแบบผลึกที่แตกต่างกันสองแบบ ได้แก่ หกเหลี่ยมและลูกบาศก์ โบรอนไนไตรด์มีความแข็งสูงและสามารถทนต่ออุณหภูมิสูง 1,500 ถึง 1,600 องศา ทำให้เหมาะสำหรับวัสดุที่มีความแข็งเป็นพิเศษ ภายใต้เงื่อนไขการอบด้วยความร้อนที่ถูกต้อง โบรอนไนไตรด์หกเหลี่ยมสามารถรักษาเสถียรภาพทางเคมีและทางกลสูงที่อุณหภูมิสูงมากได้ วัสดุโบรอนไนไตรด์มีเสถียรภาพทางความร้อน เสถียรภาพทางเคมี และฉนวนไฟฟ้าสูง การนำความร้อนของเซรามิกโบรอนไนไตรด์ที่อุณหภูมิห้องเทียบเท่ากับสแตนเลส และมีคุณสมบัติเป็นฉนวนไฟฟ้าที่ดี โบรอนไนไตรด์เปราะกว่าเซรามิกส่วนใหญ่ มีค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนต่ำ ทนต่อแรงกระแทกจากความร้อนได้ดี และสามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็วของความแตกต่างของอุณหภูมิที่สูงกว่า 1,500 องศา
การประยุกต์ใช้ของสารตั้งต้น SIC
Sic Substrate เป็นตัวแทนทั่วไปของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม และยังเป็นหนึ่งในวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบนด์แก็ปกว้างที่โตเต็มที่และใช้กันอย่างแพร่หลายที่สุดในปัจจุบัน ด้วยคุณสมบัติเซมิคอนดักเตอร์ที่ยอดเยี่ยม ทำให้วัสดุเซรามิก Sic Substrate ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในหลากหลายสาขา โดยมีบทบาทสำคัญในการสร้างสรรค์นวัตกรรมในอุตสาหกรรมสมัยใหม่ เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูง ความถี่สูง ทนต่อรังสี และกำลังไฟฟ้าสูง Siton ตระหนักถึงโอกาสทางการตลาดดังกล่าวเป็นอย่างดี และได้เปิดตัววัสดุบรรจุภัณฑ์ซิลิกอนคาร์ไบด์ ซึ่งได้รับคำชมจากลูกค้าอย่างกว้างขวาง เนื่องจากอุปกรณ์พลังงานซิลิกอนคาร์ไบด์สามารถลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ได้อย่างมาก อุปกรณ์ซิลิกอนคาร์ไบด์จึงเป็นที่รู้จักในชื่อ "อุปกรณ์พลังงานสีเขียว" ที่ขับเคลื่อน "การปฏิวัติพลังงานใหม่"
ระบบมอเตอร์ต่างๆ
ในด้านการใช้งานแรงดันไฟฟ้าสูง อุปกรณ์จ่ายไฟซิลิกอนคาร์ไบด์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้สารตั้งต้นเซรามิกซิลิกอนคาร์ไบด์ช่วยลดการใช้พลังงานได้อย่างมาก การเกิดความร้อนของอุปกรณ์ลดลงอย่างมาก และการสูญเสียการสลับลดลงได้ถึง 92% นอกจากนี้ยังสามารถลดความซับซ้อนของกลไกการระบายความร้อนของอุปกรณ์ได้อีกด้วย การย่อขนาดอุปกรณ์ช่วยลดการใช้โลหะในการระบายความร้อนได้อย่างมาก
สนามไฟ LED แบบเซมิคอนดักเตอร์
Sic Substrate มีข้อได้เปรียบมากมายใน LED ที่มีกำลังไฟฟ้าสูง LED ที่ใช้สารตั้งต้นเซรามิก Sic Substrate จะมีความสว่างที่สูงกว่า ใช้พลังงานน้อยกว่า อายุการใช้งานยาวนานขึ้น และพื้นที่ชิปต่อหน่วยเล็กลง
รถยนต์พลังงานใหม่
อุตสาหกรรมรถยนต์พลังงานใหม่ต้องการให้อินเวอร์เตอร์มีความน่าเชื่อถือที่สูงกว่าอินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรมทั่วไปเมื่อต้องจัดการกับกระแสไฟฟ้าที่มีความเข้มสูง พื้นผิวเซรามิก SiC Sic มีคุณสมบัติในการระบายความร้อนที่ดีกว่า มีประสิทธิภาพสูง ทนต่ออุณหภูมิสูง และเชื่อถือได้สูง พื้นผิวเซรามิกตอบสนองความต้องการของยานยนต์พลังงานใหม่ได้อย่างสมบูรณ์ การทำให้พื้นผิวเซรามิก Sic มีขนาดเล็กลงสามารถลดการสูญเสียพลังงานของยานยนต์พลังงานใหม่ได้อย่างมาก ทำให้ยานยนต์เหล่านี้ยังคงทำงานได้ตามปกติในสภาพแวดล้อมที่รุนแรงต่างๆ
กระบวนการบำบัดพื้นผิวที่ใช้กันทั่วไปสำหรับแผ่นอะลูมิเนียมซิลิกอน
วัสดุซิลิกอนคาร์ไบด์มีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยม เช่น ความแข็งแรงจำเพาะสูง ความแข็งจำเพาะ ทนต่อการสึกหรอ และค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนต่ำ และมีแนวโน้มการใช้งานที่สำคัญในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศ เครื่องยนต์ยานยนต์ เครื่องมือความแม่นยำ บรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ อุปกรณ์กีฬา เป็นต้น อย่างไรก็ตาม อะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์ไบด์เป็นวัสดุที่ประมวลผลได้ยากและผลิตเป็นจำนวนมากได้ยาก ซึ่งจำกัดขอบเขตการใช้งานอย่างมาก สาเหตุหลักคือการประมวลผลอะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์ไบด์ทำให้เครื่องมือได้รับความเสียหายอย่างร้ายแรง หากไม่มีเทคโนโลยีการประมวลผลที่เหมาะสม ต้นทุนของเครื่องมือจะเพิ่มขึ้นสูงมาก
เนื่องมาจากการมีอยู่ของเฟสอนุภาคในวัสดุคอมโพสิตอะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์ไบด์ ทำให้ข้อบกพร่องทางโลหะวิทยาที่ไม่สม่ำเสมอของวัสดุเพิ่มขึ้น ทำให้ความต้านทานการกัดกร่อนของวัสดุในสื่อที่กัดกร่อนแย่กว่าของโลหะผสมเมทริกซ์ที่ไม่มีเฟสเสริมแรง เนื่องจากเฟสเสริมแรงเองสามารถทำหน้าที่เป็นศูนย์กลางการกัดกร่อน และอาจเปลี่ยนกระบวนการจลนศาสตร์ของการเปลี่ยนเฟสเมทริกซ์ ทำให้เกิดเฟสตกตะกอนที่สามารถทำให้เกิดการกัดกร่อนได้ง่ายที่อินเทอร์เฟซระหว่างเมทริกซ์และเฟสเสริมแรง ความเค้นตกค้างของอินเทอร์เฟซและการเคลื่อนตัวที่มีความหนาแน่นสูงยังสามารถทำให้เกิดการกัดกร่อนแบบหลุมได้ง่ายอีกด้วย การบำบัดพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพของคอมโพสิตอะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์ไบด์สามารถปกป้องวัสดุจากความเสียหายอันเนื่องมาจากการกัดกร่อน การสึกหรอ และการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง ปัจจุบัน วิธีการบำบัดพื้นผิวอะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์ไบด์ ได้แก่ การเกิดออกซิเดชันแบบไมโครอาร์ก การชุบอโนไดซ์ การทำให้เฉื่อยทางเคมี การเคลือบอินทรีย์ และการชุบนิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้า
การบดวัตถุดิบ:ใช้เครื่องบดค้อนเพื่อบดปิโตรเลียมโค้กให้ได้ขนาดอนุภาคตามที่กระบวนการต้องการ
การแบ่งชุดและการผสม:ชั่งน้ำหนักและผสมตามสูตรที่กำหนด โครงการนี้ใช้แท่นสำหรับผสมและเครื่องผสมคอนกรีตสำหรับผสม
การเตรียมเตาไฟฟ้าซิลิกอนคาร์ไบด์:ทำความสะอาดวัสดุส่วนล่างของเตา ตัดอิเล็กโทรด ทำความสะอาดและซ่อมแซมผนังเตา ติดตั้งไฟฟ้าและเกียร์แรก ตรวจสอบและกำจัดข้อบกพร่องอื่นๆ ของเตา
การโหลดเตาเผา:เติมเตาด้วยวัสดุปฏิกิริยา วัสดุฉนวน และวัสดุแกนเตาตามประเภท ตำแหน่ง และขนาดที่กำหนดของวัสดุเตา และสร้างผนังด้านข้างของเตาหลอมที่มีหน้าที่เป็นฉนวนและยึดวัสดุ
ส่งกำลังไปหลอมซิลิกอนคาร์ไบด์:เชื่อมต่อเตาไฟฟ้าซิลิกอนคาร์ไบด์กับหม้อแปลงแล้วจึงส่งกระแสไฟฟ้า ใช้เปลวไฟเปิดในช่วง 15 นาทีแรกเพื่อจุดไฟ CO กระบวนการหลอมใช้เวลา 170 ชั่วโมง ข้างต้นเป็นกระบวนการผลิตซิลิกอนคาร์ไบด์โดยทั่วไป กระบวนการผลิตเฉพาะอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับผู้ผลิตและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์
พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์อะลูมิเนียมใช้ในยานพาหนะแบบราง เครื่องบิน อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ IGBT และผลิตภัณฑ์อื่นๆ เนื่องจากพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ที่ทำจากอะลูมิเนียมมีคุณสมบัติการนำความร้อนสูง มีค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนที่ตรงกับชิปได้ดีกว่า มีน้ำหนักเบา ความหนาแน่นต่ำ มีความแข็งสูง และมีความต้านทานแรงดัดสูง
ลักษณะและข้อดีของสารตั้งต้นซิลิกอนคาร์ไบด์และสารตั้งต้นซิลิกอนไนไตรด์
อะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์ไบด์ (AISiC) เป็นวัสดุคอมโพสิตเสริมอนุภาคซิลิกอนคาร์ไบด์ ซึ่งเรียกอีกอย่างว่าอะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์ไบด์หรืออะลูมิเนียมซิลิกอนคาร์บอน มีข้อดีที่สำคัญและโดดเด่นมากเมื่อนำไปใช้ในอุตสาหกรรมการทหาร
● AISiC มีค่าการนำความร้อนสูง (170~200W/mK) ซึ่งสูงกว่าวัสดุบรรจุภัณฑ์ทั่วไปถึง 10 เท่า ช่วยระบายความร้อนที่เกิดจากชิปได้อย่างทันท่วงที และปรับปรุงความน่าเชื่อถือและความเสถียรของส่วนประกอบทั้งหมด
●ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนของ AISiC นั้นเข้ากันได้ดีกับชิปเซมิคอนดักเตอร์และพื้นผิวเซรามิก ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเนื่องจากความร้อนที่ปรับได้ (6.5~9.5x10-6/K) สามารถป้องกันความล้มเหลวจากความเมื่อยล้าได้ และชิปพลังงานสามารถติดตั้งโดยตรงบนแผ่นฐาน AISiC ได้อีกด้วย
● วัสดุซิลิกอนคาร์ไบด์มีน้ำหนักเบา แข็งแกร่งในด้านความแข็ง มีความแข็งแรงในการดัดสูง และทนต่อแผ่นดินไหวได้ดี เป็นวัสดุที่เลือกใช้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง
การใช้งานของพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์และพื้นผิวซิลิกอนไนไตรด์นั้นแตกต่างกัน
ซิลิกอนไนไตรด์เซรามิกซับสเตรตมีความแข็งแรงเชิงกลสูง ทนทานต่อการสึกหรอ และนำความร้อนได้ดี ส่วนใหญ่ใช้ในอุตสาหกรรมการบินและอวกาศ เครื่องยนต์ยานยนต์ โช้คอัพยานยนต์ อุปกรณ์ทางการแพทย์เชิงกล เตาเผาอุตสาหกรรม อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อัจฉริยะ โมดูลกำลังสูง และสาขาอื่นๆ วัตถุประสงค์ ซิลิกอนคาร์ไบด์ใช้ในหัวรถจักรราง เครื่องบิน อุปกรณ์ IGBT เซมิคอนดักเตอร์ และสาขาผลิตภัณฑ์อื่นๆ และยังมีการใช้งานที่ดีในอุตสาหกรรมการทหารอีกด้วย
โรงงานของเรา
ความเชี่ยวชาญของเราในการผลิตเวเฟอร์ซิลิคอน คริสตัลเมล็ด เป้าหมายซิลิคอน และสเปเซอร์ตามสั่ง ทำให้เราสามารถตอบสนองความต้องการที่หลากหลายในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และพลังงานแสงอาทิตย์ได้ ความมุ่งมั่นของเราในการให้บริการเฉพาะบุคคลทำให้ลูกค้าของเราบรรลุเป้าหมายโครงการเฉพาะของตนได้อย่างแม่นยำและมีประสิทธิภาพ
คำถามที่พบบ่อย
ป้ายกำกับยอดนิยม: สารตั้งต้น sic ผู้ผลิต สารตั้งต้น sic ของจีน ซัพพลายเออร์ โรงงาน
ไม่ใช่
