เวเฟอร์ซิลิคอนเจือสูง
เวเฟอร์ซิลิคอนเจือสูงของเราได้รับการออกแบบสำหรับการใช้งานที่ต้องการความต้านทานต่ำและเพิ่มการนำไฟฟ้า ด้วยการแนะนำองค์ประกอบสารเจือปนที่มีความเข้มข้นสูง เช่น โบรอน (ชนิด P) หรือฟอสฟอรัส (ชนิด N) เวเฟอร์เหล่านี้จึงมีความต้านทานลดลงอย่างมาก ทำให้เหมาะสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง อุปกรณ์ไฟฟ้า และวงจรประสิทธิภาพสูง
- จัดส่งรวดเร็ว
- การรับประกันคุณภาพ
- บริการลูกค้าตลอด 24 ชม.
การแนะนำสินค้า
ภาพรวมผลิตภัณฑ์
เวเฟอร์ซิลิคอนเจือสูงของเราได้รับการออกแบบสำหรับการใช้งานที่ต้องการความต้านทานต่ำและเพิ่มการนำไฟฟ้า ด้วยการแนะนำองค์ประกอบสารเจือปนที่มีความเข้มข้นสูง เช่น โบรอน (ชนิด P) หรือฟอสฟอรัส (ชนิด N) เวเฟอร์เหล่านี้จึงมีความต้านทานลดลงอย่างมาก ทำให้เหมาะสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง อุปกรณ์ไฟฟ้า และวงจรประสิทธิภาพสูง



คุณสมบัติที่สำคัญ
|
ความต้านทานต่ำ |
เวเฟอร์ที่มีการเจือสูงของเรามีความต้านทานต่ำมาก ขึ้นอยู่กับความเข้มข้นของสารเจือปน โดยทั่วไปจะอยู่ในช่วงตั้งแต่ {{0}}.001 ohm-cm ถึง 0.1 ohm-cm สำหรับการใช้งานประเภท P และประเภท N |
|
ประเภทสารเจือปน |
• ชนิด P: โบรอน (สำหรับตัวพาประจุบวก) • ชนิด N: ฟอสฟอรัส สารหนู พลวง (สำหรับตัวพาประจุลบ) |
|
การวางแนวคริสตัล |
<100>, <111>, <110>(มีการวางแนวที่กำหนดเอง) |
|
เส้นผ่านศูนย์กลางที่มีอยู่ |
2นิ้ว,4นิ้ว,6นิ้ว,8นิ้ว,12นิ้ว |
|
เกรดคุณภาพ |
สำคัญ / ทดสอบ / จำลอง |
|
วิธีการเจริญเติบโต |
CZ (Czochralski) / FZ (โซนลอยน้ำ) |
|
ตัวเลือกความหนา |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm โดยมีความหนาแบบกำหนดเองให้เลือก |
|
พื้นผิวเสร็จสิ้น |
P/E (ขัด/แกะสลัก), P/P (ขัด/ขัดเงา), E/E (แกะสลัก/แกะสลัก) |
|
การเปลี่ยนแปลงความหนารวม (TTV) |
มาตรฐาน < 10 ไมโครเมตร; ขั้นสูง < 5 μm |
|
โบว์/วาร์ป |
มาตรฐาน < 40 ไมโครเมตร; ขั้นสูง < 20 μm |
ป้ายกำกับยอดนิยม: เวเฟอร์ซิลิกอนเจือสูง ประเทศจีนผู้ผลิตเวเฟอร์ซิลิกอนเจือสูง ซัพพลายเออร์ โรงงาน

