เวเฟอร์ซิลิคอนไมโครอิเล็กทรอนิกส์

เวเฟอร์ซิลิคอนไมโครอิเล็กทรอนิกส์

ซีรีย์ซับสเตรตซิลิกอนนี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมอย่างพิถีพิถันเพื่อเป็นรากฐานทางกายภาพและทางไฟฟ้าขั้นสูงสุดแอปพลิเคชัน-วงจรรวมเฉพาะ (ASIC)และอุปกรณ์จ่ายไฟแบบแยกส่วน ครอบคลุมทุกสเปกตรัมตั้งแต่2 นิ้ว (50 มม.) ถึง 12 นิ้ว (300 มม.)สถาปัตยกรรมวัสดุของเรามุ่งเน้นไปที่การขจัดความเสียหายใต้ผิวดินและความผิดปกติของโครงตาข่าย เพื่อให้มั่นใจว่าเวเฟอร์จะทำหน้าที่เป็นโฮสต์ที่บริสุทธิ์ในระหว่างการปลูกฝัง-ไอออนพลังงานสูงและ-การเติบโตของเยื่อบุผิวหลายชั้น

ข้อดีทางเทคนิคหลัก:

ความยืดหยุ่นทางความร้อน-ทางกล:ออกแบบมาเพื่อเอาตัวรอดจากการลงโทษอย่างที่สุดงบประมาณความร้อนพื้นผิวเหล่านี้รักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างและความเรียบโดยผ่านรอบการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง-และการอบอ่อนด้วยความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTA) ซ้ำหลายครั้ง ความยืดหยุ่นนี้ป้องกันการลื่นไถลและการบิดเบี้ยว ทำให้มั่นใจได้ถึงความแม่นยำในการจัดตำแหน่งระดับไมครอน-สำหรับตรรกะความหนาแน่นสูง-พาวเวอร์ไอซี (IGBT/MOSFET)การประดิษฐ์

สัณฐานวิทยาพื้นผิวขั้นสูง:เวเฟอร์แต่ละอันผ่านกรรมสิทธิ์เคมี-การวางแผนเชิงกล (CMP)เพื่อให้ได้พื้นผิวที่หยาบเป็นพิเศษ-และมีคุณสมบัติไม่ชอบน้ำอย่างเหมาะสม สัณฐานวิทยาที่เหนือกว่านี้ช่วยให้หน้าต่างกระบวนการที่กว้างขึ้นสำหรับการพิมพ์หินด้วยแสง ทำให้สามารถสร้างคุณลักษณะที่สำคัญที่มีความเที่ยงตรงสูงและลดการรบกวนของขอบ-เม็ดบีด

การซิงโครไนซ์แบทช์เชิงกลยุทธ์:เพื่อรองรับความต้องการด้านการผลิตอย่างต่อเนื่องของโรงหล่อทั่วโลก เราจึงดำเนินการการควบคุมสารต้องห้ามที่มีความแม่นยำสูง-และการจัดการเกณฑ์ออกซิเจน/คาร์บอน การซิงโครไนซ์นี้ช่วยให้แน่ใจว่าโปรไฟล์ความต้านทานยังคงเหมือนเดิมตลอดการดำเนินการผลิตหลายครั้ง โดยแปลโดยตรงเป็นแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ที่เสถียรและปรับปรุงเวเฟอร์-ระดับผลผลิต (WLY)สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เกรดอุตสาหกรรมและยานยนต์-

ป้ายกำกับยอดนิยม: เวเฟอร์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ซิลิคอน ผู้ผลิตจีนเวเฟอร์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ซิลิคอน ซัพพลายเออร์ โรงงาน