ฐานกระบวนการซิลิคอน
ฐานกระบวนการซิลิกอนนี้ได้รับการออกแบบอย่างพิถีพิถันเพื่อทำหน้าที่เป็นแพลตฟอร์มการผลิตที่มั่นคงสำหรับการบูรณาการอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง รองรับคลื่นความถี่เต็มรูปแบบจาก2 นิ้ว (50 มม.) ถึง 12 นิ้ว (300 มม.)ฐานเหล่านี้ได้รับการออกแบบเพื่อให้มีอินเทอร์เฟซที่มีความแม่นยำสูง-ซึ่งสามารถทนทานต่อการใช้งานที่เข้มข้นที่สุดขั้นตอนทางความร้อนและทางกลโดยไม่กระทบต่อความสมบูรณ์ของโครงสร้างหรือทางไฟฟ้า
ความสมบูรณ์ของโครงสร้างที่แน่วแน่:ฐานได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมเพื่อรักษาความสมบูรณ์ระหว่างการประดิษฐ์ต้านทานการบิดงอระดับไมโคร-และการเลื่อนหลุดของโครงตาข่ายแม้ในช่วง-การแพร่กระจายของอุณหภูมิสูงและการประมวลผลความร้อนอย่างรวดเร็ว (RTP) ความยืดหยุ่นของโครงสร้างนี้ช่วยให้แน่ใจว่าการจัดแนวหลาย-เลเยอร์ยังคงแม่นยำ ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการพัฒนาตรรกะความหนาแน่นสูง- และพาวเวอร์ไอซี (IGBT/MOSFET)สถาปัตยกรรม
การเปลี่ยนแปลงกระบวนการน้อยที่สุด:พฤติกรรมการใช้วัสดุที่เชื่อถือได้เป็นรากฐานสำคัญของ-การผลิตที่ให้ผลตอบแทนสูง ด้วยการรักษาโปรไฟล์ความต้านทานในแนวรัศมีที่สม่ำเสมออย่างมากและลดสิ่งเจือปนที่คั่นกลางให้เหลือน้อยที่สุดซึ่งเป็นฐานกระบวนการของเราลดความแปรปรวนที่ไม่คาดคิดในอัตรากัดกรดและการสะสมของฟิล์มบาง- ความสม่ำเสมอนี้ช่วยให้มีกรอบเวลากระบวนการที่คาดการณ์ได้มากขึ้นสำหรับชุดการผลิตที่หลากหลาย
ความเข้ากันได้กับเส้นทางที่ซับซ้อน:เหมาะสำหรับเส้นทางการประมวลผลที่ซับซ้อนฐานทำงานได้อย่างราบรื่นภายในโรงหล่ออัตโนมัติสมัยใหม่ ลักษณะทางสัณฐานวิทยาของพื้นผิวและการโปรไฟล์ขอบที่เหนือกว่านั้นสนับสนุน-ความเสถียรในระยะยาวระหว่าง-การระนาบเชิงกล (CMP) และการฝังไอออน ทำให้มั่นใจได้ว่าส่วนประกอบที่เสร็จสมบูรณ์นั้นตรงตามมาตรฐานความน่าเชื่อถือที่เข้มงวดที่สุดในภาคยานยนต์และอุตสาหกรรม
